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　　2023年8月24日中微公司发布半年报，中微公司是“净利润连续5年高于25%的公司”名单中的企业，是重点持续跟踪的企业。本文对半年报进行一次跟踪和分析。

　　芯片加工通常需要十大类设备，其中刻蚀设备、薄膜沉积、光刻、检测设备是产线中总价值最高的四类半导体设备。中微公司已经全面覆盖刻蚀设备和薄膜沉积设备，并通过投资布局了光学检测设备（睿励仪器）。

　　中微公司的主打产品等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设备，是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的设备。由于光刻机的波长限制和 2 维芯片到 3 维芯片的发展，等离子体刻蚀设备越来越成为关键制约设备，也成为十大类关键设备市场最大的一类，占半导体前道设备总市场约 22%。公司布局的薄膜设备（主要是化学薄膜和外延设备）是除光刻机和刻蚀机外第三大设备市场。此外，中微公司通过投资布局了第四大设备市场——光学检测设备。

　　微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制成的性变化。存储器件从 2D 到 3D 的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合拳“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高， 近年来市场的年平均增长速度远高于其他的设备，这给以刻蚀机和薄膜设备为主打产品的中微公司带来了高速成长机会。

　　MOCVD方面，由于三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的 MOCVD 设备是最重要的关键设备。与集成电路需要很多种设备、上千步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠 MOCVD 设备实现，这个设备的大部分市场在中国。随着LED芯片、氮化镓和碳化硅功率器件等半导体器件的快速发展，产业核心设备 MOCVD 设备需求量的将快速增长。

　　中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、 LED 外延片生产、功率器件、 MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域。

　　等离子体刻蚀设备已应用在国际一线 纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。 公司的薄膜沉积设备已付运客户端验证评估，已如期完成多道工艺验证，目前更多应用正在验证当中。 公司 MOCVD 设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基 LED 设备制造商。公司主要为集成电路、 LED 外延片、功率器件南宫·NG28全站、 MEMS 等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、 MOCVD 设备、薄膜沉积设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下：

　　在逻辑芯片制造方面，公司开发的 12 英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知名客户的订单，已经在从 65 纳米到 5 纳米的各个技术结点大量量产。同时改进的刻蚀设备性能以满足 5 纳米技术以下的若干关键步骤加工的要求，目前也已经获得重复订单并付运。

　　在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。先进存储芯片制造中，最关键的超高深宽比结构刻蚀应用目前仍然被国外半导体设备公司垄断。 公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)的全套解决方案，相应的开发了配备超低频偏压射频的 ICP 刻蚀机用于超高深宽比掩膜的刻蚀，并且开发了配备超低频高功率偏压射频的 CCP 刻蚀机用于超高深宽比介质刻蚀。这两种设备都已经开展现场验证，目前进展顺利。

　　用于制造深紫外光 LED 的高温 MOCVD 设备 Prismo HiT3®，单炉可生长 18 片 2 英寸外延晶片，并可延伸到生长 4 英寸晶片，已在行业领先客户端用于深紫外 LED 的生产验证并获得重复订单。

　　用于硅基氮化镓功率器件用 MOCVD 设备 Prismo PD5®，通过更换石墨托盘即可实现 6英寸与 8 英寸工艺的便捷切换， Prismo PD5®设备已在客户生产线上验证通过并获得重复订单。

　　下一代用于氮化镓功率器件制造的 MOCVD 设备及制造 Micro-LED 应用的新型 MOCVD 设备也正在按计划开发中。

　　完全自主设计开发的双台机 CVD 钨设备， 在达到业界领先生产率的同时，保证了较低的化学品消耗，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力。开发的新型号 CVD 钨设备用创新的工艺解决方案，满足了器件中超高深宽比的接触孔填充要求。

　　开发的 ALD 钨设备，能够满足 3D NAND 等三维器件结构中金属钨的填充需求。同时公司在开发的另一 ALD 产品系列，具有业界领先的阶梯覆盖率、 均一性和输出效率，能够满足先进逻辑和存储器件中金属阻挡层和金属栅极的应用需求

　　中微公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过 30 年的行业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。其他联合创始人、核心技术人员和重要的技术、工程人员，包括各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。

　　2023年上半年新增获得知识产权数量130个，申请73个。累积获得1425个，申请2359个。

　　2023 年上半年公司研发投入为 4.60 亿元，相较去年同期增长 32.96%，占收入比例为18.22%。

　　产业化建设项目：在南昌的约 14 万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于 2023 年 7 月正式投入使用；公司在上海临港的约 18 万平方米的生产和研发基地主体建设已完成。

　　2023年8月24日，中微公司发布2023年半年报，上半年公司实现营业收入25.27亿元，同比增长28.13%，归母净利润10亿元，同比增长114.4%。，扣非归母净利润5.19亿元、同比增长17.75%，净资产收益率6.25%，同比增加2.97%。经营活动现金流净额较差，为-6.85亿元。具体来看：

　　公司的刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，市场占有率不断提高。在国际最先进的 5 纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的 CCP 刻蚀设备实现了多次批量销售，已有超过 200 台反应台在生产线合格运转。公司的 ICP 刻蚀设备不断地核准更多刻蚀应用，迅速扩大市场并不断收到领先客户的批量订单。本期刻蚀设备收入为 17.22 亿元，较上年同期增长约 32.53%，毛利率达到 46.16%；公司的另一主打产品 MOCVD 设备在新一代 Mini-LED 产业化中，在蓝绿光 LED 生产线上继续保持绝对领先的地位，本期 MOCVD 设备收入 2.99 亿元，较上年同期增长约 24.11%，毛利率达到 37.90%。

　　非经常性收益：2023 年上半年出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票， 产生税后净收益约4.06 亿元。

　　2023年第二季度实现营业收入13.03亿元，同比增长27.46%；归母净利润7.28亿元，同比增长107.53%；扣非归母净利润为2.91亿元，同比增长14.46%，第二季度营收稳定增长。经营活动现金流净额仍未转正，为-3.37亿。

　　（1）2023年半年报，长期借款2.5亿、货币资金73.72亿元，交易性金融资产24.13亿，应收票据及应收账款7.92亿，合同负债18.05亿元，应付票据及应付账款7.78亿，合同负债是亮点，另外公司现金充足，可以支撑扩大产能及横向发展南宫·NG28网址，即使在半导体衰退周期，充足的现金将有利于公司抢占市场份额。

　　（3）公司上半年整体毛利率、净利率分别为45.89%、39.67%，其中净利率提高是受非经常损益影响。

　　（7）分季度看，第二季度公司毛利率45.9%，同比增加0.63%，环比增加0.03%。净利率因非经常损益影响，暂不关注。公司毛利率稳定。

　　中微公司主要产品包括等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备。等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备与光刻机是制造集成电路、LED芯片等微观器件的最关键设备。公司等离子体刻蚀设备涵盖65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米和5纳米微观器件的众多刻蚀应用。公司电感性等离子体刻蚀设备，主要涵盖14纳米以下微观器件的刻蚀应用。薄膜沉积设备方面，公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司作为专业的半导体设备厂商，是国内半导体产业链细分市场的优秀企业。2023年上半年及第二季度营收及盈利情况稳定增长，上下游话语权强，作为“净利润连续5年高于25%的公司”重点公司重点关注，欢迎探讨。

　　重要提示：近期对A股公司做了一次筛选，将“净利润连续5年高于25%的公司”作为条件，同时去掉一些不懂的行业，选出28家公司，可以作为参考。这次的表里加上了2023年1季度数据，后续2023年中报出来后，会进行实时更新，通过对这些公司进行分析，发现了一些值得投资的公司。

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　　重要提示：本人不荐股，不代客理财，文章中所有文字都是写给自己的记录，主要用于自身思考，不作为投资建议。文中涉及内容都是基于自己的主观风险判断。文章内容仅供大家了解公司和为以后的投资作参考。文中的数据主要根据公开的信息和财报搜集整理，具有一定的滞后性和不准确性，大家一定要根据自身情况进行甄别和思考。

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